Intel a prezentat tehnologia 18A‑P: mai rapidă, cu eficiență energetică crescută și cu răcire îmbunătățită

Intel îmbunătățește linia de cipuri 18 A și pregătește o nouă versiune – 18 A‑P

Compania Intel continuă producția în masă a microcipurilor construite pe procesul tehnologic 18 A (1,8 nm). În același timp se lucrează la o versiune îmbunătățită a acestui proces – 18 A‑P, care ar trebui să iasă pe piață în următoarele trimestre.

Ce este nou în 18 A‑P?
ParamentruDescriereTransistoriiAu fost introduse două tipuri noi de RibbonFET cu poartă înconjurată. Acestea permit creșterea frecvențelor blocurilor critice și, simultan, reducerea consumului de energie în zonele mai puțin solicitante.Controlul variabilitățiiÎmbunătățirea gestionării dispersiei parametrilor cristalelor: abaterea dintre „rapid” și „lent” s-a redus, iar devierea la centrul – pe lângă placă a scăzut.Tenor de pragA fost adăugat mai multe variante de tensiune de prag (de la 4 la peste 5 perechi), ceea ce îmbunătățește precizia sortării cristalelor și crește proporția de produse care respectă specificațiile.ÎncălzireaConductivitatea termică a crescut cu ~50 %. Acest lucru permite compensarea densității mai mari de putere a transistorilor cu poartă înconjurată și reduce degradarea la încălzire prelungită.Consum de energie / performanțăÎn comparație cu versiunea de bază 18 A, cipurile pot fie să crească eficiența cu 9 % la aceeași energie, fie să reducă puterea consumată cu 18 %, păstrând în același timp performanța și complexitatea.

Cum arată în practică
- Parametrii geometrici păstrați: pasul poartă (50 nm) și înălțimile celulelor (180 nm / 160 nm) rămân aceleași, permițând transferul designurilor existente din 18 A la 18 A‑P fără schimbări radicale. Totuși, pentru a atinge eficiența maximă este necesară încă o optimizare a arhitecturii.

- Optimizarea liniilor metalice: rezistența și capacitatea metalelor au fost modificate, ceea ce afectează viteza semnalului, consumul de energie și întârzierile (cifrele exacte nu sunt încă dezvăluite).

- Îmbunătățiri în fiabilitate: tensiunea minimă de lucru Vmin pentru logică și SRAM este mai stabilă, îmbunătățind calitatea funcționării la curenți scăzuți.

De ce contează
1. Pentru dispozitivele de consum – creșterea performanței fără a mări disiparea termică face cipurile mai atractive pentru smartphone-uri, laptopuri și alte gadgeturi portabile.

2. Pentru servere și centre de date – îmbunătățirea disipării termice și rezistența la tensiuni ridicate cresc fiabilitatea în funcționare prelungită sub sarcină.

3. Efectul economic – creșterea cotei de siliciu de calitate de pe o placă duce la majorarea producției de produse conforme, reducând costurile de producție ale cipurilor.

Concluzie
Intel continuă să dezvolte procesul său 18 A, pregătind în același timp o versiune mai avansată – 18 A‑P. Nouii tranzistorii RibbonFET, controlul îmbunătățit al calității și caracteristicile termice optimizate promit un creștere semnificativă a eficienței și fiabilității, făcând această tehnologie atractivă atât pentru piețele de consum, cât și pentru cele profesionale.