Intel în colaborare cu SoftBank plănuiește să lanseze înlocuirea memoriei HBM până în anul 2029

SoftBank și Intel planifică să lanseze pe piață noua memorie Z‑Angle Memory (ZAM) până în 2029

Cum se realizează
Responsabilele companii: SoftBank – prin filială Saimemory, care va dezvolta și comercializa. Intel va furniza tehnologiile de producție și ambalare. Participarea altor jucători: Fujitsu din Japonia participă la proiect.

De ce este nevoie de Z‑Angle Memory
* Problemele memoriei HBM existente:
- Foarte scumpă și consumatoare de energie.
- La creșterea volumelor de producție, DRAM-ul clasic suferă de lipsa resurselor.
* Scopul Z‑AM este să ofere o alternativă mai economică și mai eficientă din punct de vedere energetic, păstrând în același timp densitatea ridicată a datelor.

Caracteristici tehnice
| Parametru | Descriere |
|---|---|
| Structură | Stivă formată din mai multe niveluri de cip (similar cu HBM), dar cu metode de ambalare și arhitectură mai avansate. |
| Densitate | Capacitatea unitară a stivei este 2‑3 ori mai mare decât cea a HBM. |
| Consum energetic | Reduce aproximativ la jumătate față de HBM. |
| Costul producției | Se preconizează fie menținerea nivelului curent de prețuri, fie o reducere de până la 40 %. |

Tehnologia de ambalare
* Intel oferă tehnologia NGDB (Next‑Generation Die Bonding), care crește eficiența energetică a memoriei ZAM comparativ cu HBM.
* În prototipuri s-au realizat deja opt niveluri DRAM peste cristalul de bază.

Planul de lansare
1. Prototipuri intermediare – demonstrație până la sfârșitul lui martie 2028.
2. Producția în masă – începe în următoarele 12 luni după prezentare, adică aproximativ la mijlocul anului 2029.

Astfel, SoftBank și Intel intenționează să scaleze rapid producția Z‑Angle Memory, oferind o variantă mai accesibilă și mai eficientă energetic pentru viitoarele sisteme de înaltă performanță.