Japonia a creat tuburi nanomateriale semiconductoare de 1 nanometru, aproape gata ca canale pentru tranzistoare

Știre despre crearea nanocanalele semiconductoare super-subțiri din MoS₂

*Pe scurt:*

Cercetătorii japonezi au reușit să crească tuburi monolayer de disulfid de molibden (MoS₂) cu un diametru de aproximativ 1 nm – de o sută de mii de ori mai subțiri decât un fir de păr uman. Aceasta este prima ocazie în care astfel de structuri au fost obținute dintr-un semiconductor neorganic, nu din carbon, și ele pot deja să servească ca „canale” pentru viitoarele tranzistoare cu poartă în jurul canalului (gate‑all‑around).

Ce s-a făcut exact?
1. Creșterea în „capac”

- Ca „formă” a fost folosit un nanotor din nitrid de bor (BN).

- BN acționează simultan ca izolat și ca container, în interiorul căruia crește MoS₂.

2. Procesul de sinteză

- După o serie de calcări în capacul BN se formează un tub MoS₂ monolayer aproape perfect.

- Structura obținută are un diametru ~1 nm și este înconjurată de un strat izolat BN – practic canalul complet pregătit pentru tranzistor.

3. Potențialul de aplicare

- Aceste nanotoruri ar putea constitui baza pentru tranzistoare cu poartă care acoperă canalul din toate părțile, ceea ce este în prezent dezvoltat activ de producătorii de cipuri de top.

De ce contează?
Tipul tubului | Diametru (≈) | Multilayer carbon | 10 nm | Monolayer carbon | 5 nm | MoS₂-tub | 1 nm
- Subțirimea: Tuburile MoS₂ sunt de o sută de mii de ori mai subțiri decât un fir de păr, făcându-le printre cele mai mici structuri semiconductor.

- Noi posibilități: Cercetătorii susțin că metoda poate fi aplicată altor semiconductori și chiar materialelor supraconductoare, extinzând spectrul tehnologiilor dincolo de nanotorurile de carbon și grafen.

Ce urmează?
*Obiectiv pe termen scurt:*

Să se mărească lungimea tubului de ~1 nm la 1 µm – o mie de ori. Aceasta va permite utilizarea lor în dispozitive practice unde este necesar un canal mai lung al tranzistorului.

Concluzie:

Crearea nanotorurilor MoS₂ cu diametru de 1 nm deschide un nou drum spre miniaturizarea componentelor semiconductor și ar putea deveni un element cheie pentru viitoarele microcipuri de înaltă performanță.