Samsung a prezentat la Computex 2026 prototipul memoriei HBM5 Stack

Samsung Electronics — primele pași către HBM5

Recent, Samsung Electronics a anunțat începerea livrărilor de mostre de memorie HBM4E, dar în același timp dezvoltă activ următoarea generație – HBM5. La expoziția Computex 2025 compania a prezentat doar un model mare al cipului HBM5, pentru a oferi o imagine generală a structurii sale. Deja acum se poate observa că tehnologia va fi complexă și exigentă.

Detalii cheie ale dezvoltării
Parametru Ce face Samsung Cristal de bază Producție independentă pe procesul 2‑nm Număr de straturi DRAM De la 12 la 20 (tehnologie clasa 1c) Transistori GAA Se prevede utilizarea în cipuri 2‑nm Proces tehnologic sub 1 nm Compania este convinsă că va putea stăpâni această tehnologie în viitor

Directorul tehnic al diviziei Samsung Electronics, Son Chee Hyeok (Song Jaehyuk), a confirmat participarea companiei la dezvoltarea și implementarea acestor tehnologii. Existenta unui departament de contracte permite satisfacerea cerințelor celor mai riguroși clienți, inclusiv Nvidia.

Comparativ cu HBM4E
* HBM4E utilizează un cristal de bază 4‑nm și procesul tehnologic 1c pentru fabricarea cipurilor DRAM care formează stiva de memorie.
* HBM5 va oferi:
* Un cristal mai subțire (2 nm) și un număr flexibil de straturi (12–20).
* Heat Path Block (HPB) – canal de disipare a căldurii pentru răcire eficientă.
* Viteza de transfer a datelor crescută datorită arhitecturii îmbunătățite.

Tehnologia HPB este deja rafinată pe exemplul HBM4E, iar Samsung intenționează să utilizeze metode avansate de disipare a căldurii pentru a spori stabilitatea memoriei. Producția în masă a HBM5 este planificată din 2028, iar în cadrul HBM5E cristalele DRAM vor fi fabricate pe un proces tehnologic mai avansat 1d.

Ce fac concurenții
* SK hynix utilizează o tehnologie similară de răcire – iHBM. Aceasta înseamnă că soluția Samsung nu este unică în ceea ce privește disiparea căldurii.
* SK hynix implementează, de asemenea, cipuri 2‑nm în cadrul HBM5 și planifică producția în masă folosind iHBM.

Concluzie
Samsung Electronics dezvoltă deja HBM5 pe baza procesului tehnologic 2‑nm, prevăzând până la 20 de straturi DRAM și un sistem inovator de disipare a căldurii HPB. Lansarea în masă este planificată pentru 2028, iar concurenții, precum SK hynix, aplică soluții similare (iHBM). În ansamblu, Samsung demonstrează încredere în stăpânirea tehnologiilor sub 1 nm și disponibilitatea de a satisface cerințele celor mai mari clienți.