Samsung încetează producția de 2‑D NAND și transferă fabricile la producerea de HBM4.

Samsung încetează producția de NAND flash 2-D și își redirecționează fabricile către HBM4

În acest an, Samsung a anunțat renunțarea completă la producția de memorie flash 2‑D NAND. Liniile rămase vor fi reorientate spre fabricarea memoriei HBM4, care acum beneficiază de o cerere imensă din cauza creșterii rapide a inteligenței artificiale.

Ce se întâmplă la fabrica Hwason
Potrivit *The Elec Korea*, Samsung intenționează să închidă producția de NAND 2‑D la instalația sa din Hwaseong. În loc să elimine complet linia, compania o va reconfigura pentru metalizarea DRAM – procesul de aplicare a traseelor care leagă celulele de memorie din interiorul cipului.

- Capacitatea liniei 12: între 80.000 și 100.000 plăci de 12 inci pe lună.
- Aceste plăci erau folosite exclusiv pentru NAND flash 2‑D, dar tehnologia a devenit învechită odată cu apariția NAND 3‑D.

Acum, pe această linie se va produce DRAM de generație a șasea (10 nm), utilizat în HBM4. Samsung estimează că capacitatea totală lunară de producție a DRAM – inclusiv liniile 3 și 4 din Pyeongtaek – va ajunge la aproximativ 200.000 plăci până la sfârșitul celui de-al doilea semestru.

De ce se retrage NAND 2‑D
Memoria NAND 2‑D a apărut pentru prima dată la sfârșitul anilor '90. În ultimii ani, producătorii au renunțat treptat la ea, trecând la tehnologia mai avansată NAND 3‑D. Tehnologia NAND 3‑D oferă avantaje semnificative: capacitate mai mare, fiabilitate superioară și performanțe de viteză mult mai ridicate.

Conform planului Samsung, încetarea finală a producției de NAND 2‑D este programată pentru martie. După aceea, fabrica se va transforma complet în producția de soluții mai moderne – inclusiv HBM4, care sunt solicitate în sistemele de calcul de înaltă performanță și aplicațiile AI.